红旗不倒

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最新DW01AM中文资料,手机单节锂离子电池保护电路图下载

2018-8-21 16:54:28 显示全部楼层

DW01AM 是什么?手机锂电池是怎样保护的原理?
对于电池有哪些相关疑问?

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1.概述
DW01AM 是为单节锂离子电池供电系统(例如手机电池包)而设计的专用芯片,用来防止锂离子电池因为过充电、过放电和(或)过流造成损坏或寿命减少。超小型的封装和较少的外部元件需求,使 DW01AM可以完美的集成到有限的电池包空间中去。精确的 4.3V ± 50mV 过充电保护电压确保了安全并充足的充电。低功耗设计使芯片在电池工作及储存期间静态功耗极低。

2.主要特点
● SOT-23-6 微型封装以减小电路板面积
● 3μA(VCC=3.9V)的超低静态电流
●0.1μA(VCC=2.0V)的省电模式静态电流
● 精确的过充电保护电压:4.3V ± 50mV
● 过充电模式下负载检测功能
● 两级过流保护


3.管脚排列
4.管脚功能说明

编号 引脚名 方向 功能描述1 OD O 连接 MOSFET 的栅端,用于过放电保护的控制2 CS I 电流检测及充电器检测3 OC O 连接 MOSFET 的栅端,用于过充电保护的控制4 TD I 测试引脚用于减少过充电延时时间,以节省测试时间5 VCC - 通过一个电阻 ( R1 )接电源6 GND - 地 DW01AM1 节锂离子/锂聚合物电池保护 ICV1.2 2/8 2011/9/285.功能详述DW01AM 系统框图

5.1 正常工作状态此 IC 持续侦测连接在 VDD 和 GND 之间的电池电压,以及 CS 与 GND 之间的电压差,来控制充电和放电。当电池电压在过放电检测电压(VODP)以上并在过充电检测电压(VOCP)以下,且 CS 端子电压在充电器检测电压(VCH)以上并在放电过流检测电压(VOI1)以下时,IC 的 OC 和 OD 端子都输出高电平,使充电控制用 MOS 管和放电控制用 MOS 管同时导通,这个状态称为“正常工作状态”。此状态下,充电和放电都可以自由进行。注意:初次连接电芯时,会有不能放电的可能性,此时,短接 CS 端子和 GND 端子,或者连接充电器,就能恢复到正常工作状态。

5.2 过充电保护当电池电压高于过充电保护电压(VOCP)并超过过充电延时时间(TOC)周期,充电动作将通过关断充电控制 MOS 管被禁止。过充电延时时间默认为 80 ms。过充电保护将在以下两种情况下解除:
(1)电池通过自放电,电压下降到低于过充电释放电压(VOCR)。
(2)电池电压下降到低于过充电保护电压(VOCP) 且连接了一个负载。当电池电压高于 VOCP, 即便在一个负载被连接的情况下,过充保护也不会释放。

5.3 过放电保护当电池电压低于过放电保护电压(VODP) 并超过过放电延时(TOD)周期,放电动作将通过关断放电控制 MOS 管被禁止。过放电延时时间默认为 40 ms。当电池经过充电使电压高于过放电释放电压(VODR),过放电保护情形将立即解除。

5.4 过流保护在普通模式下,DW01AM 通过检测 CS 脚的电压连续监测放电电流。如果 CS 脚的电压高于过流保护电压(VOI1)并超过过流延时周期,过流保护电路启动且放电动作将通过关断放电控制 MOS 管被禁止。当负DW01AM1 节锂离子/锂聚合物电池保护 ICV1.2 3/8 2011/9/28载卸掉且 BATT+和 BATT-出现高阻,过流保护解除并且将恢复到普通模式。DW01AM 根据不同的过流检测级别提供两种过流保护等级(0.15V 与 1.35V)和两种过流延时(TOI1 与TOI2)。

5.5 过充电后的负载检测过充电后的负载检测靠检测 CS 脚的电压来实现。当过充电后一个负载连接到电池包,放电电流流过 MOS 管的寄生二极管在 CS 和 GND 之间形成一个二极管电压降。如果 CS 脚电压高于负载检测临界电压(VLD),负载就被检测到。

5.6 过放电后充电器的检测当过放电发生时,放电控制 MOS 管关闭从而放电过程被禁止。但是,通过 MOS 管的寄生二极管的充电过程是允许的。一旦充电器与电池包连接,DW01AM 立即打开所有的时序和监测电路。如果 CS 和 GND之间的电压低于充电器检测临界电压(VCH),充电过程就被检测到。

5.7 过放电后的掉电状态当过放电发生时,DW01AM 会进入掉电模式。此时它关掉所有的时序和监测电路,以便把静态电流降低到 0.1uA (VCC=2.0V)。同时,CS 脚通过一个大电阻拉高到 VCC。

5.8 外部控制 MOS 管的选择因为过流保护电压是预先设定的,过流检测的临界电流值决定于放电控制 MOS 管的导通电阻。外部控制 MOS 管的导通电阻可以用等式计算:RON=VOI1/(2*IT) (IT 是过流临界电流)。例如,如果过流临界电流 IT 被设计为 3A,外部控制 MOS管的导通电阻是就必须是 25 mΩ。用户应该注意 MOS 管的导通电阻会随着温度变化而变化。它也随着栅源电压变化而变化(MOS 管的导通电阻随着栅源电压下降而上升)。一旦 MOS 管的导通电阻变化,过流临界电流将相应变化。

5.9 抑制充电器的纹波和扰动为了抑制充电器的纹波和扰动,建议连接 R1、C1 到 VCC 脚。

5.10 CS 脚的保护在过放电情况下连接充电器时,R2 可用于防止芯片 CS 脚的 LATCH-UP 现DW01AM1 节锂离子/锂聚合物电池保护 ICV1.2 4/8 2011/9/28

5.11 时序图 过充电情形 负载放电 普通情形 DW01AM1 节锂离子/锂聚合物电池保护 ICV1.2 5/8 2011/9/28过放电情形 充电器充电 普通情形 DW01AM1 节锂离子/锂聚合物电池保护 ICV1.2 6/8 2011/9/28过流情形 普通情形 DW01AM1 节锂离子/锂聚合物电池保护 ICV1.2 7/8 2011/9/286.电路特性参数(所有测试均在 25℃,除非特殊说明)

6.1 极限特性参数
DW01AM.pdf (224.72 KB, 下载次数: 1)

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7631001_1230220

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7631001_1230220 2018-10-14 09:32:06 显示全部楼层
改成小封装很好呀!但散热不是问题吧?
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